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由于氣相色譜專用氫氣發生器具備安全、簡便的性能特點,因此可以替代危險的高壓氫氣鋼瓶。氫氣的產生可以根據需要適時適量進行,從而保持氫氣儲存體積和安全性。
高純半導體專用氫氣發生器可以連續可靠的產生純度很高的氫氣,純度99.99999%。從而使昂貴且危險的高壓氫氣鋼瓶告別實驗室,因更換鋼瓶而中斷重要分析工作的情況將不復存在。
相比昂貴且危險的高壓氫氣鋼瓶,氫氣發生器具有很大的優勢。它只需要去離子水和供電即可產生氫氣,一次加水可持續工作長達15天,成本低廉。
CVD,MOCVD專用氫氣發生器操作方便使用時只需打開電源開關即可產氫,使用后無需泄壓,直接關閉電源即可。可連續使用,也可間斷使用,產氫量穩定不衰減。
CVD(Chemical Vapor Deposition)和MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)是兩種常用的化學氣相沉積技術,用于制備薄膜、涂層和納米材料等。